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基本电子面试问题

电子工程学生需要面对一些基本的电子问题,无论他们是在准备面试或viva voce。因此,本文将为你提供一些基本的电子面试问题和其他有竞争力的考试。

一般来说,你需要参考各种各样的书籍,以覆盖电子领域的主题海洋。为了方便大家,我从不同的主题收集了一些基本的电子问题,并把它们组织到不同的部分。

一开始,我将主要集中在多项选择类型的问题上,将来我会添加一些解释和一些简答题类型的问题。

基本介绍的问题

1.什么是理想的电压源?
答:内阻为零的器件。

2.什么是理想的电流源?
答:一种具有无限内阻的装置。

3.什么是实用的电压源?
答:一种内阻小的器件。

4.什么是实用的电流源?
答:一种内阻大的器件。

5.理想电压源的电压是
答:0
b常数
C.负载电阻相关
D.内阻依赖
答:B

6.理想电流源的电流为
答:0
b常数
C.负载电阻相关
D.内阻依赖
答:B

7.电流通过的两点之间的路径称为
答:一个网络
b .中继
c电路
d .循环
答:C

8.根据欧姆定律计算电流的公式为
A.电压/电阻
B.电阻*电压
C.电压+电阻
D.电阻/电压
答:一个

9.电阻的单位是
答:伏
b .音箱
c .欧姆
d .库仑
答:C

10.在恒压直流电路中,当电阻增大时,电流就会增大
答:减少
b .停止
c .增加
d .保持不变
答:一个

半导体基本理论问题

1.硅原子的价电子数为
答:1
b . 4
c . 8
d . 16
答:B

2.最常用的半导体元件是
答:硅
b .锗
c .镓
d .碳
答:一个

3.铜是一种
答:绝缘子
b .导体
c .半导体
d .超导体
答:B

4.硅原子原子核中的质子数为
答:4
b . 14
c . 29
d . 32
答:B

5.导体的价电子也称为
答:束缚电子
b .自由电子
c核
d .质子
答:B

6.本征半导体在室温下具有
A.一些自由电子和空穴
b很多洞
C.许多自由电子
d .没有洞
答:一个

7.在室温下,本征半导体由于
答:掺杂
b .自由电子
c .热能
d .价电子
答:C

8.本征半导体中的空穴数为
等于自由电子数
大于自由电子数
小于自由电子数
D.以上都不是
答:一个

9.洞作为
答:原子
b .晶体
c .负电荷
d .正电荷
答:D

10.在小组中挑一个
答:导体
b .半导体
C.四个价电子
d .晶体结构
答:一个

11.为了生产p型半导体,你需要添加
答:三价杂质
b .碳
c .五价的杂质
d .硅
答:一个

12.电子是其中的少数载流子
答:非本征半导体
b p型半导体
c .本征半导体
d . n型半导体
答:D

13.p型半导体包含
A.空穴和负离子
B.空穴和正离子
空穴和五价原子
空穴和供体原子
答:一个

14.五价原子有多少电子?
答:1
b . 3
c . 4
d . 5
答:D

15.负离子是
a .获得质子的原子
B.失去质子的原子
C.获得电子的原子
D.失去电子的原子
答:C

16.PN结在势垒两边的电离结果是什么?
答:障碍电压
b .结
c .耗尽区
d .正向电压
答:C

17.耗尽区域的原因是__________
答:扩散
b离子
c .掺杂
d .正向电压
答:一个

18.下列哪项是半导体?
答:氩
b .碳
c .云母
d .陶瓷
答:B

19.掺杂材料如下
a . n型半导体
b大部分航空公司
C.外部半导体材料
d .五价的材料
答:D

20.我们可以很容易地激活少数载波使用
答:正向电压
b .掺杂
c .热
d .的压力
答:C

基本半导体二极管问题

1.耗尽层是由
答:掺杂
b复合
c .潜在障碍
d .离子
答:B

2.二极管的反向电流通常为
答:非常小
b非常大
c . 0
D.在击穿区域
答:一个

3.二极管发生雪崩
答:潜在障碍
b .耗尽层
c .膝盖电压
d .击穿电压
答:D

4.硅二极管的势垒为
答:0.3 V
b . 0.7 V
c . 1 V
d . 5伏
答:B

5.硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的反向饱和电流为_____
答:平等
b .更高
c .低
D.取决于温度
答:C

6.A二极管是A
答:双边设备
b .非线性设备
c .线性设备
d .单相设备
答:C

7.二极管的电流对于哪个条件是大的
答:正向偏压
b .逆偏见
c .可怜的偏见
d .反向偏压
答:一个

8.桥式整流器输出电压信号为
答:半波
b .全波
c . Bridge-rectified信号
d .正弦波
答:B

9.如果桥式整流器中二极管的最大直流额定电流为1A,那么最大直流负载电流是多少?
答:1
2 b。
4 c。
8 d。
答:B

10.电压倍增器生产
A.低电压、低电流
B.电压低,电流大
C.高电压低电流
D.高电压、大电流
答:C

11.什么是快船?
答:一种去除波形的一部分(正极或负极)使其不超过某一电压水平的电路。

12.什么是夹钳?
答:将直流电压(正或负)加到波上的一种电路。

13.齐纳二极管可以描述为
A.整流二极管。
一个固定电压的装置。
一个恒流装置。
一个工作在转发区域的设备。
答:B

14.如果齐纳二极管连接在错误的极性,跨负载的电压是
答:0.7 V
b . 10 V
c . 14 V
d . 18 V
答:一个

15.由于二极管只允许一个方向的电流流动,所以它们可以用于
答:限流
B.反极性保护
c .存储电荷
d .电压调整
答:B

16.当你用万用表测试一个好的二极管时,它会显示
正偏或反向偏时电阻低
正偏或反向偏时电阻高
正偏时电阻高,反偏时电阻低
正偏时电阻小,反偏时电阻大
答:D

17.PN结中电流何时流动?
当p型元素和n型元素的电势相同时
当p型或n型元素都没有势时
C.当p型元素的电位大于n型元素时
D.当n型元素的电位大于n型元素时
答:C

18.箝位电路一般用于
A.电视发射机和接收器
b . FM发射器
C.信号发生器(正方形、梯形等)
D.以上都是
答:D

19.二极管的正向偏置和反向电流的测量单位是
A和A
答案:A
答案:c
D. mA and mA
答:B

20.什么图形方法是用来建模二极管特性
答:指数法
B.小信号近似
c .迭代法
D.恒压降法
答:一个

晶体管的基本问题

1.晶体管中PN结的数目
答:一个
b两
c .三
d .四
答:B

2.NPN晶体管中基极的掺杂浓度为
答:轻掺杂
b .适度掺杂
c .重掺杂
d .不掺杂
答:一个

3.NPN晶体管中的基极-发射极二极管(基极-发射极结)为零
答:不进行
b .正向偏压
c .反向偏置
在故障区域工作
答:B

4.基极、发射极和集电极的尺寸比较如下
Base >采集器>发射器
B.发射器>采集器> Base
C.收集器>发射极>基极
D.所有人都是平等的
答:C

5.通常是基极集电极二极管(基极集电极结)
答:反向偏置
b .正向偏压
c .击穿区域
d .没有传导
答:一个

6.晶体管的直流电流增益为
A.发射极电流与集电极电流之比
B.基极电流与发射极电流之比
集电极电流与基极电流之比
基极电流与集电极电流的比值
答:C

7.如果基电流为100µA,电流增益为100,则采集器电流为
答:1
10 b .
c . 1马
d . 10马
答:D

8.在NPN和PNP晶体管中,载流子最多的是
A.空穴与电子
B.电子和空穴
C.受体离子和供体离子
d .没有
答:B

9.晶体管起晶体管的作用
a .电压源和电流源
电流源和电阻
二极管和电流源
二极管和电源
答:C

10.基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC之间的关系为
A. ie = ib + IC
B. ib = IC + ie
C. ie = ib - IC
答案:d
答:一个

11.晶体管耗散的总功率是集电极电流和功率的乘积
答:电源电压
b . 0.7 v
C.集电极-发射极电压
基极-发射极电压
答:C

12.共发射极配置的输入阻抗为
答:低
b高
c . 0
d .很高
答:一个

13.共发射极配置的输出阻抗为
答:低
b非常低
c .高
d . 0
答:C

14.两种类型的双极结晶体管(bjt)是
A. nnn和ppp
B. npn和pnp
C. pnn和npp
答案:d
答:B

15.BJT常见故障有哪些?
答:内部短
b、开路偏压电阻
C.对外开放
答案:d
答:B

16.数字电路中晶体管通常的工作区域是
答:活跃的地区
b线性区域
c .击穿区域
D.截止和饱和区域
答:D

17.发射器跟随器配置的另一个名称是
A.共基极放大器
B.共发射极放大器
C.共集电极放大器
d·达林顿对
答:C

18.BJT是_________,FET是________
A.双相和单相
B.双相和双相
C.单极和单极
D.单极和双相
答:一个

19.共基配置(α)的电流增益为
A.基极电流与发射极电流之比(IB/IE)
B.集电极电流与发射极电流之比(IC/IE)
C.集电极电流与基极电流比值(IC/IB)
d .没有
答:B

20.α与ß的关系是
α = ß / (ß + 1)
ß = α / (1 - α)
C. α = ß * (ß + 1)
α = ß / (ß - 1)
答:A和B