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面试基本电子学问题

电子工程专业的学生无论是在准备面试还是在准备口头发言,都需要面对一些基本的电子问题。因此,本文将为您提供一些面试和其他竞争考试的基本电子问题。

一般来说,你需要参考各种各样的书籍,以涵盖电子学的主题海洋。为了方便大家,我从不同的主题收集了一些基本的电子问题,并将它们组织到不同的部分。

最初,我将主要集中在多项选择类型的问题,在未来,我将添加解释和一些简短回答类型的问题。

基本介绍的问题

1.什么是理想的电压源?
答:内阻为零的器件。

2.理想的电流源是什么?
答:具有无限内阻的装置。

3.什么是实用的电压源?
答:内阻小的装置。

4.什么是实际的电流源?
答:具有大内阻的装置。

5.从一个理想电压源输出的电压为
答:0
b常数
C.负载电阻相关
D.内阻相关
答:B

6.从理想电流源输出的电流为
答:0
b常数
C.负载电阻相关
D.内阻相关
答:B

7.电流通过的两点之间的路径被称为
答:一个网络
b .中继
c电路
d .循环
答:C

8.根据欧姆定律,电流的公式是
A.电压/电阻
B.电阻*电压
C.电压+电阻
D.电阻/电压
答:一个

9.电阻的单位为
答:伏
b .音箱
c .欧姆
d .库仑
答:C

10.在恒压直流电路中,当电阻增大时,电流就会增大
答:减少
b .停止
c .增加
d .保持不变
答:一个

基本半导体理论

1.硅原子中的价电子数为
答:1
b . 4
c . 8
d . 16
答:B

2.最常用的半导体元件是
答:硅
b .锗
c .镓
d .碳
答:一个

3.铜是一种
答:绝缘子
b .导体
c .半导体
d .超导体
答:B

4.硅原子原子核中的质子数是
答:4
b . 14
c . 29
d . 32
答:B

5.导体的价电子又称为
答:束缚电子
b .自由电子
c核
d .质子
答:B

6.本征半导体在室温下具有
一些自由电子和空穴
b很多洞
C.许多自由电子
d .没有洞
答:一个

7.在室温下,本征半导体由于
答:掺杂
b .自由电子
c .热能
d .价电子
答:C

8.本征半导体中的空穴数为
A.等于自由电子的数量
B.大于自由电子数
C.少于自由电子的数量
D.以上都不是
答:一个

9.洞作为
答:原子
b .晶体
c .负电荷
d .正电荷
答:D

10.选组里的奇数
答:导体
b .半导体
C.四个价电子
d .晶体结构
答:一个

11.如果要生产p型半导体,还需要补充
答:三价杂质
b .碳
c .五价的杂质
d .硅
答:一个

12.电子是少数载流子
答:非本征半导体
b p型半导体
c .本征半导体
d . n型半导体
答:D

13.一种p型半导体包含
空穴和负离子
B.空穴和正离子
空穴和五价原子
空穴和施主原子
答:一个

14.五价原子有多少电子?
答:1
b . 3
c . 4
d . 5
答:D

15.负离子是
a .获得质子的原子
B.失去质子的原子
得到电子的原子
D.失去电子的原子
答:C

16.在势垒两侧的PN结中电离的结果是什么?
答:障碍电压
b .结
c .耗尽区
d .正向电压
答:C

17.“损耗区”的成因是__________
答:扩散
b离子
c .掺杂
d .正向电压
答:一个

18.下列哪一个是半导体?
答:氩
b .碳
c .云母
d .陶瓷
答:B

19.掺杂材料如下
a . n型半导体
b大部分航空公司
非本征半导体材料
d .五价的材料
答:D

20.我们可以很容易地激活少数载体使用
答:正向电压
b .掺杂
c .热
d .的压力
答:C

半导体二极管基本问题

1.损耗层是由
答:掺杂
b复合
c .潜在障碍
d .离子
答:B

2.在二极管中反向电流通常是
答:非常小
b非常大
c . 0
D.在击穿区域
答:一个

3.二极管的雪崩发生在
答:潜在障碍
b .耗尽层
c .膝盖电压
d .击穿电压
答:D

4.硅二极管的势垒是
答:0.3 V
b . 0.7 V
c . 1 V
d . 5伏
答:B

5.硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的反向饱和电流为_____
答:平等
b .更高
c .低
D.取决于温度
答:C

6.二极管是一个
答:双边设备
b .非线性设备
c .线性设备
d .单相设备
答:C

7.二极管电流大的条件是什么
答:正向偏压
b .逆偏见
c .可怜的偏见
d .反向偏压
答:一个

8.桥式整流器的输出电压信号为
答:半波
b .全波
c . Bridge-rectified信号
d .正弦波
答:B

9.如果桥式整流器中二极管的最大直流额定电流是1A,那么最大直流负载电流是多少?
答:1
2 b。
4 c。
8 d。
答:B

10.电压倍增器生产
A.低电压、低电流
B.电压低,电流大
C.高电压低电流
D.高电压高电流
答:C

11.什么是快船?
答:一种消除波形的一部分(正极或负极)以使其不超过一定电压水平的电路。

12.什么是夹钳?
答:一种将直流电压(正负)加到波上的电路。

13.齐纳二极管可以描述为
整流二极管。
一种恒压装置。
C.恒流装置。
D.在转发区域工作的设备。
答:B

14.如果齐纳二极管连接在错误的极性,电压跨负载
答:0.7 V
b . 10 V
c . 14 V
d . 18 V
答:一个

15.由于二极管只允许一个方向的电流流动,所以它们可以用于
答:限流
B.反极性保护
c .存储电荷
d .电压调整
答:B

16.当你用万用表测试一个好的二极管时,它会显示出来
正向偏置或反向偏置时电阻低
正向偏置或反向偏置时电阻高
正向偏置时电阻高,反向偏置时电阻低
正向偏置时电阻低,反向偏置时电阻高
答:D

17.电流何时在PN结中流动?
A. p型和n型元素电位相同时
当p型或n型元素都没有电位时
C. p型元素比n型元素处于更大的正电位时
D.当n型元素处于比n型更大的正电位时
答:C

18.夹紧电路通常用于
A.电视发射机和接收器
b . FM发射器
C.信号发生器(方形、梯形等)
D.以上皆是
答:D

19.二极管正向偏压和反向电流的测量单位为
A. A. A
【答案】A
C. A
D. mA和mA
答:B

20.什么图形方法用于建模二极管特性
答:指数法
B.小信号近似
c .迭代法
D.恒压降法
答:一个

晶体管的基本问题

1.晶体管PN结的数目
答:一个
b两
c .三
d .四
答:B

2.NPN晶体管中Base的掺杂浓度为
答:轻掺杂
b .适度掺杂
c .重掺杂
d .不掺杂
答:一个

3.在NPN晶体管中基极发射极二极管(基极发射极结)是
答:不进行
b .正向偏压
c .反向偏置
D.在击穿区域操作
答:B

4.基极、发射极和集电极的尺寸比较为
A.基底>集电极>发射极
B.发射极>集电极>基极
C.集电极>发射极>基极
D.所有人都平等
答:C

5.基极-集电极二极管(基极集电极结)通常是
答:反向偏置
b .正向偏压
c .击穿区域
d .没有传导
答:一个

6.晶体管的直流电流增益为
发射极电流与集电极电流之比
B.基极电流与发射极电流之比
C.集电极电流与基极电流之比
基极电流与集电极电流之比
答:C

7.如果基极电流为100µA,电流增益为100,则集电极电流为
答:1
10 b .
c . 1马
d . 10马
答:D

8.NPN和PNP晶体管的主要载流子是
A.空穴和电子
B.电子和空穴
C.受体离子和给体离子
d .没有
答:B

9.晶体管的作用是充当
a .电压源和电流源
电流源和电阻
C.二极管和电流源
二极管和电源
答:C

10.基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC的关系为
ie = ib + IC
B. ib = IC + ie
ie = ib - IC
故答案为d
答:一个

11.晶体管耗散的总功率是集电极电流和电流的乘积
答:电源电压
b . 0.7 v
C.集电极-发射极电压
基极-发射极电压
答:C

12.共发射极配置的输入阻抗为
答:低
b高
c . 0
d .很高
答:一个

13.公共发射极配置的输出阻抗为
答:低
b非常低
c .高
d . 0
答:C

14.两种类型的双极结晶体管(bts)
A. nnn和ppp
B. npn和pnp
C. pnn和npp
D. nnp和ppn
答:B

15.BJT的常见故障有哪些?
答:内部短
B.开路偏压电阻
C.外部开放和
D. nnp和ppn
答:B

16.数字电路中晶体管的一般工作区域是
答:活跃的地区
b线性区域
c .击穿区域
D.截止和饱和区域
答:D

17.发射器跟随器配置的另一个名称是
A.共基放大器
B.共发射极放大器
C.共集电极放大器
d·达林顿对
答:C

18.BJT是_________,FET是________
A.双极和单极
B.双极和双极
C.单极和单极
D.单极和双极
答:一个

19.公碱结构(α)的电流增益为
A.基极电流与发射极电流之比(IB/IE)
B.集电极电流与发射极电流之比(IC/IE)
C.集电极电流与基极电流之比(IC/IB)
d .没有
答:B

20.α与ß的关系为
A. α = ß / (ß + 1)
ß = α / (1 - α)
C. α = ß * (ß + 1)
D. α = ß / (ß - 1)
答:A和B都有