面试基本电子学问题

电子工程专业的学生无论是在准备面试还是在准备口头发言,都需要面对一些基本的电子问题。因此,本文将为您提供一些面试和其他竞争考试的基本电子问题。

一般来说,你需要参考各种各样的书籍,以涵盖电子学的主题海洋。为了方便大家,我从不同的主题收集了一些基本的电子问题,并将它们组织到不同的部分。

最初,我将主要集中在多项选择类型的问题,在未来,我将添加解释和一些简短回答类型的问题。

基本介绍问题

1.什么是理想的电压源?
答复:内阻为零的器件。

2.理想的电流源是什么?
答复:具有无限内阻的装置。

3.什么是实用的电压源?
答复:内阻小的装置。

4.什么是实际的电流源?
答复:具有大内阻的装置。

5.从一个理想电压源输出的电压为
A.零
b常数
C.负载电阻取决于
D.内阻相关
答复:B

6.从理想电流源输出的电流为
A.零
b常数
C.负载电阻取决于
D.内阻相关
答复:B

7.电流通过的两点之间的路径被称为
A.网络
b .中继
C.电路
D.环路
答复:C

8.根据欧姆定律,电流的公式是
A.电压/电阻
B.电阻*电压
C.电压+电阻
D.电阻/电压
答复:A.

9.电阻的单位为
A.伏特
安培
C.欧姆
D.库仑
答复:C

10在恒压直流电路中,当电阻增大时,电流将减小
答:减少
B.停止
C.增加
D.保持不变
答复:A.

半导体基本理论问题

1.硅原子中的价电子数为
A.1
B.4
C.8
d . 16
答复:B

2.最常用的半导体元件是
答:硅
B.锗

d .碳
答复:A.

3.铜是一种
A.绝缘体
B.导体
c .半导体
d .超导体
答复:B

4.硅原子原子核中的质子数是
A.4
B.14
c . 29
d . 32
答复:B

5.导体的价电子又称为
A.束缚电子
B.自由电子
c核
D.质子
答复:B

6.一种室温下的本征半导体
一些自由电子和空穴
b很多洞
C.许多自由电子
d .没有洞
答复:A.

7.在室温下,本征半导体中有一些空穴,这是由于
答:掺杂
b .自由电子
c .热能
D.价电子
答复:C

8.本征半导体中的空穴数为
A.等于自由电子的数目
B.大于自由电子数
C.少于自由电子的数量
D.上述各项均不适用
答复:A.

9.洞作为
A.原子
B.晶体
c .负电荷
D.正电荷
答复:D

10在小组中挑一个单数的
答:导体
b .半导体
C.四价电子
d .晶体结构
答复:A.

11.如果要生产p型半导体,还需要补充
A.三价杂质
B.碳
C.五价杂质
d .硅
答复:A.

12.电子是少数载流子
答:非本征半导体
b p型半导体
C.本征半导体
D.n型半导体
答复:D

13.一种p型半导体包含
空穴和负离子
B.空穴和正离子
C.空穴和五价原子
空穴和施主原子
答复:A.

14五价原子有多少个电子?
A.1
B.3
C.4
D.5
答复:D

15.负离子是
a .获得质子的原子
B.失去质子的原子
C.获得电子的原子
D.失去电子的原子
答复:C

16势垒两侧PN结电离的结果是什么?
答:障碍电压
b .结
C.消耗区
D.正向电压
答复:C

17.“损耗区”的成因是__________
答:扩散
b离子
C.兴奋剂
D.正向电压
答复:A.

18以下哪一项是半导体?
答:氩
B.碳
云母
d .陶瓷
答复:B

19以下材料中的掺杂材料为
a . n型半导体
b大部分航空公司
非本征半导体材料
d .五价的材料
答复:D

20.我们可以很容易地激活少数载体使用
答:正向电压
B.兴奋剂
C.热量
d .的压力
答复:C

半导体二极管基本问题

1.损耗层是由
答:掺杂
B.重组
C.势垒电位
d .离子
答复:B

2.二极管中的反向电流通常为
答:非常小
b非常大
C.零
D.在细分区域
答复:A.

3.二极管中的雪崩发生在
答:潜在障碍
b .耗尽层
C.膝部电压
d .击穿电压
答复:D

4.硅二极管的势垒是
答:0.3 V
B.0.7伏
c . 1 V
d . 5伏
答复:B

5.硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的反向饱和电流为_____
A.平等
B.更高
c .低
D.取决于温度
答复:C

6.二极管是一个二极管
A.双边装置
b .非线性设备
c .线性设备
d .单相设备
答复:C

7.在哪种情况下,二极管电流较大
A.正向偏差
B.反向偏差
C.差的偏见
d .反向偏压
答复:A.

8.桥式整流器的输出电压信号为
A.半波
b .全波
c . Bridge-rectified信号
D.正弦波
答复:B

9.如果桥式整流器中二极管的最大直流额定电流是1A,那么最大直流负载电流是多少?
A.1A
B.2A
C.4A
D.8A
答复:B

10.电压倍增器生产
A.低电压、低电流
B.电压低,电流大
C.高电压低电流
D.高压大电流
答复:C

11什么是剪刀?
答复:一种电路,它去除波形的一部分(正极或负极),使其不超过一定的电压水平。

12.什么是夹钳?
答复:一种将直流电压(正负)加到波上的电路。

13.齐纳二极管可以描述为
整流二极管。
B.具有恒定电压的装置。
C.具有恒定电流的装置。
D.在转发区域工作的设备。
答复:B

14.如果齐纳二极管连接在错误的极性,电压跨负载
A.0.7伏
B.10伏
C.14 V
d . 18 V
答复:A.

15.由于二极管只允许一个方向的电流流动,所以它们可以用于
答:限流
B.反极性保护
c .存储电荷
d .电压调整
答复:B

16当你用万用表测试一个好的二极管时,它显示
A.正向偏置或反向偏置时的低电阻
B.正向偏置或反向偏置时的高电阻
正向偏置时电阻高,反向偏置时电阻低
正向偏置时电阻低,反向偏置时电阻高
答复:D

17.电流何时在PN结中流动?
A.当p型和n型元素处于相同电位时
当p型或n型元素都没有电位时
C.当p型元素的正电势大于n型元素时
D.当n型元素处于比n型更大的正电位时
答复:C

18.夹紧电路通常用于
A.电视发射机和接收机
B.调频发射机
C.信号发生器(方形、梯形等)
D.以上皆是
答复:D

19二极管正向偏置和反向电流的测量单位为
A. A. A
B.mA和µA
C.µA和mA
D. mA和mA
答复:B

20用什么图形方法模拟二极管特性
A.指数法
B.小信号近似
C.迭代法
D.恒压降法
答复:A.

晶体管基本问题

1.晶体管中PN结的数目
答:一个
b两
C.三
d .四
答复:B

2.NPN晶体管中基极的掺杂浓度为
A.轻掺杂
B.中等掺杂
C.重掺杂
d .不掺杂
答复:A.

3.NPN晶体管中的基极-发射极二极管(基极-发射极结)是
答:不进行
B.向前倾斜
c .反向偏置
D.在击穿区域操作
答复:B

4.基极、发射极和集电极的尺寸比较为
A.基底>集电极>发射极
B.发射极>集电极>基极
C.集电极>发射极>基极
D.所有人都平等
答复:C

5.基极-集电极二极管(基极集电极结)通常是
答:反向偏置
B.向前倾斜
c .击穿区域
d .没有传导
答复:A.

6.晶体管的直流电流增益为
A.发射极电流与集电极电流之比
B.基极电流与发射极电流之比
C.集电极电流与基极电流之比
基极电流与集电极电流之比
答复:C

7.如果基极电流为100µA且电流增益为100,则集电极电流为
A.1A
10 b .
C.1mA
D.10mA
答复:D

8.NPN和PNP晶体管中的大多数载流子是
A.空穴和电子
B.电子和空穴
C.受体离子和施主离子
没有
答复:B

9晶体管起着半导体的作用
a .电压源和电流源
电流源和电阻
C.二极管和电流源
D.二极管和电源
答复:C

10基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC之间的关系为
A.IE=IB+IC
B.IB=IC+IE
ie = ib - IC
D.IC=IB+IE
答复:A.

11晶体管消耗的总功率是集电极电流和功率的乘积
A.电源电压
b . 0.7 v
C.集电极-发射极电压
D.基极-发射极电压
答复:C

12.共发射极配置的输入阻抗为
A.低
b高
C.零
D.非常高
答复:A.

13共射极配置的输出阻抗为
A.低
B.非常低
C.高
D.零
答复:C

14.两种类型的双极结晶体管(bts)
A. nnn和ppp
B.npn和pnp
C. pnn和npp
D.nnp和ppn
答复:B

15BJT的常见故障是什么?
A.内部短路
B.开路偏置电阻器
C.外部开放和
D.nnp和ppn
答复:B

16.数字电路中晶体管的一般工作区域是
A.活跃区域
b线性区域
c .击穿区域
D.截止和饱和区域
答复:D

17.发射器跟随器配置的另一个名称是
A.共基放大器
B.共发射极放大器
C.共集电极放大器
d·达林顿对
答复:C

18BJT是一个,FET是一个________
A.双极和单极
B.双极和双极
C.单极和单极
D.单极和双极
答复:A.

19.公碱结构(α)的电流增益为
A.基极电流与发射极电流之比(IB/IE)
B.集电极电流与发射极电流之比(IC/IE)
C.集电极电流与基极电流之比(IC/IB)
没有
答复:B

20α与ßis的关系
A.α=ß/(ß+1)
B.ß=α/(1-α)
C.α=ß*(ß+1)
D.α=ß/(ß–1)
答复:A和B